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STT818B中文资料

STT818B图片

STT818B外观图

  • 大小：142.49KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
  • 其它有关文件：STT818B View All Specifications
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 20mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 500mA，1V
  • 功率 - 最大：1.2W
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-23-6
  • 供应商设备封装：SOT-23-6
  • 包装：Digi-Reel®
  • 其它名称：497-6589-6

STT818B供应商

更新时间:2023-01-31 00:42:23
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