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STT818B中文资料

STT818B图片

STT818B外观图

  • 大小:142.49KB
  • 厂家:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述:HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
  • 其它有关文件:STT818B View All Specifications
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 20mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 500mA,1V
  • 功率 - 最大:1.2W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-23-6
  • 供应商设备封装:SOT-23-6
  • 包装:Digi-Reel®
  • 其它名称:497-6589-6

STT818B供应商

更新时间:2023-01-31 00:42:23
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